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等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术具有沉积温度低(小于600℃)、应用料范围广、设备简单、基材变形小、绕度性能好、沉积层均匀、可以掺杂等特点,既克服了CVD技术沉积温度高,对基材材料要求严的缺点,又避免了PVD技术附着力较差,设备复杂等不利条件,是一种具有很大发展前景和实际应用价值的新型高效气相沉积技术。
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